Crossbar revoluciona el mundo de la memoria. La memoria RRAM.

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Experto
Crossbar revoluciona el mundo de la memoria. La memoria RRAM.

Crossbar acaba de anunciar la producción de los primeros chips de memoria RRAM o memoria RAM resistiva que supera con creces a la memoria flash en términos de velocidad y de rendimiento. Parece que la noticias que vaticinaban que HP y Hynix comenzarían a estrenar estas memorias a finales de año se va a hacer realidad.

La memoria RRAM (Resistive Random-Access Memory) es un tipo de memoria no-volátil que combina las ventajas de las memorias NAND y DRAM en un único producto ofreciendo un gran rendimiento en operaciones de lectura/escritura secuencial/aleatoria y capacidades de almacenamiento. Está conformada por 3 capas: una superior (electrodo metálico), una inferior (electrodo no-metálico) y una central que actúa como interruptor que determina si está almacenado un 1 o un 0 (1 = conectado y 0 = desconectado).
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Además hablamos de una memoria que reune numerosas ventajas sobre las memorias NAND actuales como que es muy económica de fabricar al utilizar materiales muy comunes, no estar conformada por transistores (lo que simplifica sobremanera su diseño), tiene un menor consumo (20 veces inferior a la NAND actual), mayor longevidad (10 veces superior a NAND) y pueden ser apilados incrementando aún más su densidad por área (menos de la mitad del área de los chips NAND).
Crossbar licenciará su tecnología RRAM a terceros, permitiendo a la industria en general acceder a esta nueva tecnología, la que se estima debe estar implementada en gran parte del mercado dentro de los próximos 3 años.

Fuente: Hardzone.
 
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